HP ProDesk 400 G2.5 Small Form Factor PC Bedienungsanleitung Seite 17

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240 clavijas estándar del sector
sin búfer no ECC PC3-12800 compatible con DDR3/DDR3L de 1600 MHz
DIMM DDR3-SDRAM de 1,5 voltios o DIMM DDR3L-SDRAM de 1,35 voltios (baja potencia)
Los DIMM también deben:
compatible con latencia CAS 11 DDR3/DDR3L 1600 Mhz (sincronización 11-11-11)
contener la información obligatoria JEDEC SPD
Además, el equipo admite:
tecnologías de memoria de 512 Mbits, 1 Gbit y 2 Gbit no ECC
DIMM de un solo canal y doble canal
DIMMs fabricados con dispositivos DDR x8 y x16; No admite DIMMs fabricados con x4 SDRAM
NOTA: El sistema no se funcionará adecuadamente si utiliza módulos DIMM no admitidos.
Completando sockets DIMM
Existen dos sockets DIMM en la placa del sistema, con un socket por canal. Los sockets son denominados
DIMM1 y DIMM3. El socket DIMM1 funciona en el canal B de memoria. El socket DIMM3 funciona en el canal A
de memoria.
El sistema funcionará automáticamente en el modo de un solo canal, modo de canal doble o el modo flex,
según como los DIMM son instalados.
NOTA: Las configuraciones de memoria de un único canal y de dos canales sin balancear provocarán un
menor desempeño de los gráficos.
El sistema funcionará en el modo de un solo canal si los socket DIMM son completados en un solo canal.
El sistema funcionará en el modo de canal doble de alto rendimiento si la capacidad de memoria total
de los DIMM en el Canal A es igual a la capacidad de memoria total de los DIMM en el Canal B.
El sistema funcionará en el modo flex si la capacidad de memoria de los DIMM en el canal A no es igual a
la capacidad de memoria de los DIMM en el canal B. En el modo flex, el canal ocupado con la menor
cantidad de memoria describe la cantidad total de memoria asignada al doble canal y el resto es
asignado al canal único. Si un canal posee más memoria que el otro, el que posea mayor cantidad debe
asignarse al canal A.
En cualquier modo, la velocidad de operación máxima es determinada por el DIMM más lento en el
sistema.
Instalación de memoria adicional 11
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